Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は2月13日(独時間)、200mm(8インチ) SiCウェハを用いて製造されたパワー半導体の顧客への提供を開始したことを発表した。

同社のオーストリア・フィラッハ工場で製造された200mm SiCウェハベースのSiCパワー半導体製品は、再生可能エネルギー、鉄道、電気自動車(EV)などの高電圧用途向けに提供されるという。

また、同社はマレーシア・クリムでも200mm SiCウェハへの対応を進めており、2024年8月に開所式が開かれた第3工場(フェーズ1)でも、市場の需要を踏まえつつも大量生産を開始する態勢が整っていると同社では説明している。

  • 200mm SiCウェハベースのパワー半導体
  • 200mm SiCウェハベースのパワー半導体

  • インフィニオンのオーストリア・フィラッハ工場で製造された200mm SiCウェハベースのパワー半導体 (提供:インフィニオン)

なお、これらフィラッハおよびクリムの工場は技術と製造プロセスが共有されており、SiCならびにGaNの製造において迅速な立ち上げと円滑かつ効率的な運用を実現することが可能だとのことで、今回の200mm SiCウェハでの製造開始は、Infineonのパワー半導体分野における技術的な優位性を示すものだと同社では強調している。