ベルギーの独立系先端半導体・デジタル技術研究機関であるimecは11月5日、東京都内で創立40周年記念年次研究成果発表会「imec Technology Forum Japan 2024(ITF Japan 2024)」を開催した。

  • ITF Japan 2024で基調講演するimec CEOのLuc Van den hove氏

    ITF Japan 2024で基調講演するimec CEOのLuc Van den hove氏 (ITF Japan 2024の会場にて著者撮影)

基調講演に登壇したimec CEOのLuc Van den hove氏は、「1965年にGordon Moore氏(当時は米Fairchild Semiconductor勤務、後にIntelを共同で創業)が示した、いわゆる『ムーアの法則』に従って、半導体チップの集積度が過去60年にわたって飛躍的に向上してきた。この間、ムーアの法則は間もなく終焉すると繰り返し言われてきたし、今も言われている。しかし、高NA EUV露光装置(ASMLのEUV露光装置「EXE:5000」、従来の開口数NA=0.33に対して高NA EUV露光装置はNA=0.55に引き上げれている)の登場で、ムーアの法則は、少なくとも2030年半ばまでは延命できる」とまだしばらくは継続できることを強調した。また、将来的にはNA=0.75のHyper-NA EUVリソグラフィ技術が開発され、加えてトランジスタのチャンネル部分をシリコンから2D(2次元)材料で置き換えた2D-FETが開発されれば、ムーアの法則はさらに2040年代に向けて延命されると、技術革新によって将来的に継続していける見通しを示した。

  • Gordon Moore氏とムーアの法則がけん引してきたトランジスタ数の増加推移

    Gordon Moore氏とムーアの法則がけん引してきたトランジスタ数の増加推移 (縦軸は半導体チップ上のトランジスタ数、横軸は西暦の年) (出所:imec)

  • imecの2039年に至るロジックデバイス

    imecの2039年に至るロジックデバイス(トランジスタ構造・材料、リソグラフィ、インターコネクト構造)のロードマップ (出所:imec)

露光装置の歴史を振り返ると、さまざまな波長の露光装置が開発され、解像度が向上してきた。ASMLのみが製造できるEUV露光装置については、NAが0.33、0.55のものは製造ラインや試作開発ラインで利用が進んでいるが、NA=0.75のEUV露光装置はまだ開発されていない。

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