Micron Technologyは、モノリシック32GビットDRAMダイベースの128GB DDR5 RDIMMメモリの検証を終え、出荷を開始したことを発表した。

同メモリは、同社の1β DRAMプロセスを採用して製造されており、競合する3DSシリコン貫通電極(TSV)製品と比べて、ビット密度は45%以上、電力効率は最大22%高くできるとするほか、レイテンシは最大16%低くでき、主要サーバプラットフォーム上で最大5,600MT/秒の転送速度を実現するとしている。

また、これによりAIサーバとしてGPU側にMicronの8層積層24GB HBM3Eを、CPU側に今回の128GB RDIMMを使用する構成が可能となり、メモリ負荷の高いワークロードに求められる容量、帯域幅、消費電力が最適化されたインフラストラクチャを提供できるようになると同社では説明している。

なお、同社による128GB DDR5 RDIMMは現在、同社から直接提供が行われているほか、2024年6月からは一般のグローバル・チャネルディストリビューターと販売代理店を通じても提供される予定だとしている。

  • Micronの128GB DDR5 RDIMM

    Micronが1β DRAMプロセスを用いて製造した32GビットDRAMダイを用いた128GB DDR5 RDIMM (出所:Micron)