Micron Technologyは、232層3D NANDの量産を開始したことを明らかにした。

同社によれば、同NANDはI/O速度が従来製品の176層ノード品比で50％高速となる2.4GB/秒(市場投入時のNANDのI/O速度は1.6GB/秒)とするほか、ダイあたりの書き込み帯域幅は最大で同100％、読み取り帯域幅は同75％以上の向上を果たしたという。

  • 232層3D NANDの階層イメージ

    232層3D NANDの階層イメージ

また、今回量産化されるのは6プレーン動作のTLC NANDであり、高速I/O、読み取り/書き込みレイテンシ、6プレーンアーキテクチャの組み合わせにより、さまざまなコンフィグレーションでクラス最高水準のデータ転送速度を実現するとしているほか、この構造の採用により、読み取り/書き込みコマンド間の輻輳が軽減され、システムレベルのサービス品質が向上するともしている。

従来のI/Oインタフェースと比較して、データ転送のビットあたりの消費電力を30％以上低減する低電圧インタフェースのNV-LPDDR4に対応する最初の製品となるとするほか、記録密度は1mm2あたり14.6Gビットとなり、面密度については競合他社のTLC製品と比較して35～100％向上するという。

パッケージサイズは11.5mm×13.5mmで、前世代品比で28％の小型化を果たしたともしている。

  • 232層3D NANDのウェハ

    232層3D NANDのウェハ

なお、同NANDは同社のシンガポール工場にて量産されており、当面の間はコンポーネントあるいはCrucial SSDコンシューマー製品ラインとして顧客に出荷される予定で、それ以外の追加の製品および提供時期については今後、順次発表される予定だという。