Freescale Semiconductorは、同社の「Airfastドハティ・アンプ」の性能を最適化するよう開発されたE-pHEMT/InGaP HBT技術ベースのGaAs MMIC制御回路「MMDS20254H」を発表した。

同製品は、1800～2200MHzの周波数においてキャリアの位相と振幅、高出力ドハティ・アンプのピーク・パスに関して正確な調整を実現し、基地局全体の性能を高めることが可能だという。

また、ポート2とポート3の間で周波数に対し一定の90度位相オフセットを持っているほか(500MHz帯域幅)、デジタル調整を通じて、パワーレベルや供給電圧、温度など、さまざまな条件のもとでパワー・アンプ性能を最適化することが可能だ。

なお、同製品はすでに6mm角のQFNパッケージにて量産出荷を開始しているという。

「Airfastドハティ・アンプ」の性能を最適化するよう開発されたGaAs MMIC制御回路「MMDS20254H」