エルピーダメモリは9月22日、25nmプロセスを採用した4GビットDDR3 SDRAMの開発を完了したことを発表した。

同製品は、4GビットDRAM製品としては世界最小クラスのチップサイズを達成しており、同社の30nmプロセス4GビットDDR3 SDRAMに比べ、ウェハ1枚あたりのチップ取得数量は約45%増加するという。

また、前世代(30nm)プロセス品比で、動作電流は25～30%、待機電流は30～50%低減しつつ、ピン当たりのデータ転送レートは1866Mbps以上を実現しており、PCのほか、サーバなどで用いられる予定。また、タブレットやUltraBookなどの製品にも順次、採用される見通しと同社では説明している。

なお、同製品はサンプル出荷、量産開始ともに2011年12月から開始される予定。

25nmプロセス採用4GビットDDR3 DRAMのダイ写真