Infineon Technologiesは、同社のパワーMOSFET「OptiMOS」として、25V製品ファミリを追加したことを発表した。
同製品ファミリは、サーバおよび通信/データ通信用スイッチの電源における電圧制御に最適化された製品ラインアップで、Intel DrMOS仕様に準拠した同社DrMOSデバイス「TDA21220」も、同MOSFETが集積されているという。
同MOSFETでは、効率に影響を及ぼす3種類のFOM(性能指数)の向上が図られている。その結果、従来品比で電力損失を最大20%削減できるようになったほか、電力密度の向上も可能なため、一般的な降圧DC/DC電源において、基板の実装面積を40%以上削減することができるようになる。
具体的には、6フェーズの電圧レギュレータに新型の25V OptiMOSデバイスを使用すると、5Vゲート駆動でピーク効率が93%、30Aから180Aの出力電流で90%以上の効率を得らることができる。これは、オン抵抗、ゲートチャージ、出力寄生容量のいずれもが高い水準になっているためとしており、結果として消費電力と発熱を抑制することができ、製品サイズの小型化が実現できるとする。
この25V OptiMOSファミリとTDA21220 DrMOSデバイスは、すでにエンジニアリング・サンプルの提供が開始されており、価格は、2,000個受注時の単価でSuperSO8パッケージ、1mΩの25V OptiMOSデバイス「BSC010NE2LS」が1ユーロ(1.40ドル)程度となっているほか、TDA21220は2,000個受注時の単価で1.55ユーロ(2.17ドル)程度となっている。
