キオクシア、TLC NAND「BiCS FLASH」シリーズを第10世代に刷新へ - サンプル出荷開始

キオクシアは7月3日、第10世代TLC NAND「BiCS FLASH」製品のサンプル出荷開始を発表した。エンタープライズ・データセンター向け製品に採用を予定しており、AI向けストレージ需要に応える製品ラインアップの強化に努めていくとしている。

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  キオクシア、TLC NAND「BiCS FLASH」シリーズを第10世代に刷新へ - サンプル出荷開始　

キオクシアが製造・開発するストレージ製品であるTLC NAND「BiCS FLASH」シリーズにおいて、最新製造技術を適用した第10世代モデルのサンプル出荷が始まったというもの。第8世代から採用されているCMOS directly Bonded to Array技術とOn Pitch Select Gate Drain技術を活用したことで性能を引き上げたとしており、第8世代比でインタフェース速度で33％高速な4.8Gb/秒を実現。積層数が332層に増加したことでビット密度が高まり、加えて書き込み時で18%、読み出しは30%も電力効率を改善した。北上工場第2製造棟が製造する。

キオクシアではコスト面を重視した第9世代BiCS FLASHシリーズに加え、積層数を増やして大容量・高性能を目指す第10世代シリーズの2製品を用意する。発表に寄せて「今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、グローバルなパートナーシップを強化しながらさらなる技術革新を追求し、AIインフラを支える製品を提供してまいります」と述べている。

画像は高性能シリーズの第8世代BiCS FLASH採用のDC向けSSD「KIOXIA LC9シリーズ」。