昭和電工は7月3日、パワー半導体向けSiCエピタキシャルウェハとなる高品質グレードエピウェハ「ハイグレードエピ(HGE)」の生産能力を増強することを決定した。

SiCパワー半導体は、従来のシリコンパワー半導体に比べ、耐高温・耐電圧・大電流特性に優れており、放熱機構の削減やモジュールの小型・軽量化などが可能になることから、次世代パワー半導体として注目されており、その適用範囲を拡大している。

同社のSiCエピウェハは、すでに2017年9月ならびに2018年1月に生産能力の向上を決定していたが、SiCパワー半導体の市場が急激に成長しており、需要の増加が見込まれることから、今回の追加増強を決定したという。

なお、これにより同社のHGE生産能力は、1200V耐圧用デバイス換算で、現状の月産5000枚から2018年9月に7000枚、2019年2月には9000枚となる予定だという。