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パワー半導体材料「β-Ga2O3」量産化に向け、農工大らが高速成長技術を開発

ノンドープβ-Ga2O3層の成長に続き、TMSi/TMGa供給比8.0×10^-7でシリコンドープβ-Ga2O3層を成長させた試料の不純物濃度深さプロファイル。破線は、各元素の検出限界値。シリコンドープ層中でシリコンが均一にドーピングされていることがわかる。試料全体で、炭素や水素、窒素などの不純物が検出されていないことも確認された
(出所:共同ニュースリリースPDF)

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