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静岡大など、困難だったシリコントランジスタ上での電子正孔共存系を実現

シリコントランジスタの構造と基本動作。pチャネル型(左)とnチャネル型(右)トランジスタにおいて、それぞれのゲート端子に負電圧/正電圧を印加すると正孔(正電荷、青丸)/電子(負電荷、赤丸)がソース-ドレイン端子間を流れる。この基本ゲート操作では、どちらか一方の極性を持つキャリアしか流すことができない(出所:静岡大プレスリリースPDF)

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