高NA EUV時代に対応する塗布・現像装置が発売

東京エレクトロン(TEL)は12月15日、高NA(NA=0.55)EUVプロセスからDUVプロセスまで幅広く対応する塗布・現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE」を発表した。

新欠陥制御技術によりレジスト塗布起因の欠陥を低減

同装置は、EUV露光における極微細パターニング実現に向けた開発された塗布・現像装置で、新たな欠陥制御技術の活用により、従来装置のディフェクト性能・薬液消費量と比べて50％以上のレジスト塗布起因の欠陥低減とコスト低減を可能としたとする。

また、高速な塗布・現像プロセスとともに、クリーンルーム内のフットプリントの効率を最大限に高めることで、生産性と環境性能を従来装置比で25％以上向上させたとする。

さらに、装置のデータ収集およびそれらを扱う情報処理システムの強化により、装置の稼動率やエンジニアの作業効率を向上させる機能も搭載しており、これにより最先端ロジックからDRAM、NANDなどといった多くの半導体デバイスに対して、幅広く高効率な生産を実現できる体制を構築することが可能だと同社では説明している。

なお、同社では同装置を付加価値の高い半導体製造プロセスを提供することを目指したものだと説明しており、今後も技術革新を通じて業界リーダーとしての地位の確立を図っていくとコメントしている。