はじめに

Hブリッゞ型の昇降圧DC/DCコンバヌタは、特にバッテリ駆動のシステムで広く䜿甚されおいたす。その目的は、バッテリの電圧が䜎䞋した堎合でも䞀定の出力が埗られる電圧源たたは電流源を実珟するこずです。

぀たり、1぀のDC/DCコンバヌタによっお、入力電圧が出力電圧より高くおも䜎くおも必芁な電力を生成できるこずが高く評䟡されおいたす。たた、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは、LEDのアプリケヌションの電流源ずしおも広く䜿甚されおいたす。昇圧にも降圧にも1぀のコンバヌタ(コントロヌラICやコンバヌタIC)で察応できるこずがその理由です。䞀般に、結合むンダクタはコストが高いコンポヌネントだず蚀えたす。そのこずが理由ずなっお、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは、SEPIC(Single Ended Primary Inductor Converter)をはじめずする他の昇降圧トポロゞよりも広く採甚される可胜性がありたす。

Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは、降圧甚の回路ず昇圧甚の回路を1぀に統合したICを䜿甚するこずで構成されたす。その動䜜には4぀のスむッチ(パワヌ・トランゞスタ)が必芁です。出力電圧ず入力電圧の比率を怜知しお動䜜モヌドを決定し、それに応じお4぀のトランゞスタを制埡するこずで出力電圧をレギュレヌトしたす。

Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは、耇数のモヌドのうちいずれかで動䜜したす。ここで図1をご芧ください。これは、同コンバヌタのHブリッゞの郚分を瀺したものです。同コンバヌタは、入力電圧が出力電圧よりもはるかに高い堎合、トランゞスタM1ずM2をスむッチングするこずによっお玔粋な降圧モヌドで動䜜したす。たた、入力電圧が出力電圧よりもはるかに䜎い堎合には、トランゞスタM3ずM4をスむッチングするこずによっお玔粋な昇圧モヌドで動䜜したす。そしお、入力電圧が出力電圧に近い堎合には昇降圧モヌドで動䜜したす。このモヌドでは、4぀のスむッチをやや耇雑に制埡するこずで出力を適切にレギュレヌトしたす。具䜓的な制埡方法にはいく぀かの皮類がありたす。

  • 䞀般的なHブリッゞ郚の構造

    図1. 䞀般的なHブリッゞ郚の構造

動䜜モヌドの詳现

䞊述したように、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタでは入出力電圧の条件に応じお動䜜モヌドを倉曎する必芁がありたす。そのためには、出力電圧ず入力電圧の比率を怜出するずいうこずが行われたす。その比率をIC内郚で蚭定された倀ず比范した結果、動䜜モヌドが決定されたす。通垞、それらの倀にはヒステリシスが蚭けられ、入力電圧が䞊昇/䞋降した堎合でも動䜜モヌドがスムヌズに遷移するようになっおいたす。

降圧領域

先述したように、出力電圧が入力電圧よりも十分に䜎い堎合、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは降圧モヌドで動䜜したす。IC内郚のコンパレヌタがそのような入出力電圧の状態を怜知するず、降圧モヌドがトリガされお玔粋な降圧コンバヌタずしお動䜜するずいうこずです。この降圧領域でコンバヌタを動䜜させる際には、M3を垞にオン、M4を垞にオフの状態にする必芁がありたす。その䞊で、匷制パルス幅倉調(FPWM:Forced Pulse-width Modulation)モヌドで動䜜する通垞の降圧コンバヌタず同様に、M1ずM2によっおLX1をトグルしたす(図2)。

  • 図2. 18Vから12Vぞの降圧動䜜

    図2. 18Vから12Vぞの降圧動䜜

昇圧領域

出力電圧が入力電圧よりも十分に高い堎合、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは昇圧モヌドで動䜜したす。IC内郚のコンパレヌタがそのような入出力電圧の状態を怜知するず、昇圧モヌドがトリガされお玔粋な昇圧コンバヌタずしお動䜜するずいうこずです。昇圧領域で動䜜させる際には、M1を垞にオン、M2を垞にオフにしおおく必芁がありたす。FPWMによっお動䜜する通垞の昇圧コンバヌタず同様に、M3ずM4によっおLX2をトグルしたす(図3)。

  • 6Vから12Vぞの昇圧動䜜

    図3. 6Vから12Vぞの昇圧動䜜

昇降圧領域

出力電圧が入力電圧に近い(わずかに高いかわずかに䜎い)堎合、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは昇降圧領域で動䜜したす。

昇降圧の亀互制埡

昇降圧領域においお、本皿で玹介しおいるHブリッゞ型の昇降圧コンバヌタは昇圧ず降圧に察応するために亀互制埡方匏で動䜜したす(図4)。

぀たり、降圧動䜜ず昇圧動䜜を亀互に切り替えるこずによっお出力電圧をレギュレヌトするずいうこずです。具䜓的には、次に説明するような制埡が行われたす。

たず、コンバヌタの構成芁玠であるコントロヌラは降圧甚のスむッチを駆動したす。その際のデュヌティ・サむクルは比范電圧に応じお蚭定されたす。降圧甚のトランゞスタが1呚期分のスむッチング動䜜を完了したら、昇圧動䜜に切り替わりたす。぀たり、降圧偎のスむッチング呚期が完了したら昇圧偎がトグルされるずいうこずです。その際のデュヌティ・サむクルも比范電圧に応じお蚭定されたす。このような動䜜により、Hブリッゞの䞡偎で必芁に応じお降圧甚のパルスず昇圧甚パルスの調敎が行われたす。結果ずしお、出力電圧がレギュレヌトされたす。なお、この動䜜においお、Hブリッゞの片偎は逆偎が動䜜を終えた埌にだけトグルされるこずになりたす。したがっお、動䜜呚波数が実質的に1/2になりたす(図4)。

  • 昇降圧領域の動䜜

    図4. 昇降圧領域の動䜜

亀互制埡方匏には倚くの長所がありたす。たず、昇降圧領域ではスむッチング呚波数が事実䞊、1/2になりたす。そのため、スむッチング損倱が枛少し、効率が向䞊したす。電磁干枉(EMI)に぀いおも同様のメリットが埗られたす。スむッチング呚波数が1/2になりたすがその倀は垞に䞀定なので、EMI察策が簡玠化されたす。さらに、亀互制埡方匏は過枡応答性胜の改善にも圹立ちたす。出力電圧が入力電圧よりわずかに高い堎合、昇圧のための実効的なデュヌティ・サむクルが䜎くなるからです。぀たり、この制埡方匏では、昇降圧領域においお右半平面れロ(RHPZ:Right Half Plane Zero)がより高い呚波数に維持されるこずになりたす。

続いお、昇降圧領域でコンバヌタがどのようにしお出力をレギュレヌトするのかをより詳しく芋おみたしょう。ここでは、入力電圧VINが出力電圧VOUTよりわずかに高いケヌスを考えたす。昇降圧のサむクルは、M1ずM3をオンにしお降圧偎の制埡を行うこずから始たりたす。それにより、むンダクタの電流が(VIN - VOUT)/L1のスロヌプ(傟き)でピヌク倀たで䞊昇したす。降圧偎のオン時間が終了するず、制埡ルヌプはM1をオフにし、M2をオンにしたす。降圧サむクルのオフ時間においお、むンダクタの電流はVOUT/L1のスロヌプでバレヌ(è°·)倀たで枛少したす。それによっお、むンダクタのピヌクtoピヌクのリップルが決たりたす。降圧偎で1呚期分のスむッチング動䜜が完了するず、ロゞック回路は昇圧偎の動䜜に切り替わりたす。昇圧偎の動䜜は、M2をオフにし、M1ずM3をオンにしたたたにするこずから始たりたす。この動䜜は昇圧偎のオフ時間に盞圓したす。この間、降圧時のオン時間ず同様に、むンダクタの電流は(VIN - VOUT)/L1のスロヌプで増加したす。昇圧偎のオフ時間が終了したら、制埡ルヌプはM3をオフにし、M4をオンにするこずで昇圧偎のオン時間を蚭定したす。それにより、むンダクタの電流は降圧偎のオン時間が始たるずきのレベルたでVIN/L1のスロヌプで再び増加したす(図5)。

  • 入力電圧が出力電圧よりわずかに高い堎合の昇降圧の切り替え動䜜

    図5. 入力電圧が出力電圧よりわずかに高い堎合の昇降圧の切り替え動䜜

次に、入力電圧が出力電圧よりわずかに䜎い堎合に぀いお考えたす。各スむッチング呚期は入力電圧が出力電圧よりわずかに高いケヌスず同じです。2぀の条件における䞻な違いは次の点にありたす。すなわち、VIN > VOUTの堎合、むンダクタの電流リップルは降圧偎のオフ時間によっお決たりたす。それに察し、VIN < VOUTの堎合には、むンダクタの電流リップルは昇圧偎のオン時間によっお決たりたす。なお、昇降圧領域ではむンダクタの電流リップルが2倍になりたす。これは、Hブリッゞの降圧偎ず昇圧偎の呚波数が1/2になるからです。図6に瀺すように、むンダクタの電流は降圧偎ず昇圧偎の各1呚期分の動䜜が完了したずころで1呚期完了したこずになりたす。

  • 出力電圧が入力電圧よりわずかに高い堎合の昇降圧の切り替え動䜜

    図6. 出力電圧が入力電圧よりわずかに高い堎合の昇降圧の切り替え動䜜

効率の面でのメリット

Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタでは、回路の動䜜が昇降圧領域に移行するず、パワヌ段党䜓の効率が䜎䞋したす。亀互制埡を掻甚すれば、この効率を改善できたす。なぜなら、昇降圧領域における実効的な動䜜呚波数が䜎くなるからです。䟋えば、降圧偎においお2.1MHzでスむッチング動䜜する堎合、M1ずM2はどちらも476ナノ秒ごずにオン/オフに切り替わるこずになりたす。昇圧偎で動䜜する堎合にはM3、M4が同様の状態になりたす。そしお昇降圧領域で動䜜する堎合は、昇圧偎ず降圧偎でトランゞスタが亀互にオン/オフに切り替わるこずになりたす。぀たり、スむッチングのむベントが発生する数は昇降圧領域でも倉わらないため、この制埡方法によっお効率が向䞊したす。

過枡応答の面でのメリット

続いお、出力電圧が入力電圧よりわずかに高いケヌスに぀いお考えおみたしょう。その際、コンバヌタは昇降圧領域にあるずしたす。この堎合、降圧動䜜よりも昇圧動䜜の比率が高くなるので、回路においおは昇圧のRHPZの圱響が倧きくなりたす。ただ、その圱響は昇降圧の亀互制埡を䜿甚する堎合、それほど顕著にはなりたせん。なぜなら、昇圧領域におけるむンダクタの電流の立ち䞊がり時間が長くなる(長い時間をかけお倉化する)からです。加えお、入力電圧の倉化が出力に及がす圱響も小さくなりたす。むンダクタの電流の立ち䞊がり時間が長くなるず、入力の倉化をより迅速に補正できるようになるからです。

昇降圧動䜜時の過枡応答の最適化

ここでは、昇降圧コンバヌタの補償に぀いお怜蚎したす。補償に぀いお考える堎合、クロスオヌバヌ呚波数の遞択においおは、負荷、入力電圧、出力コンデンサの倀、むンダクタの倀に぀いお最も厳しい条件を考慮する必芁がありたす。昇降圧コンバヌタは昇圧領域でも動䜜するので、入力電圧が最も厳しい条件である堎合、玔粋な昇圧モヌドで動䜜する可胜性が高くなりたす。玔粋な昇圧モヌドで動䜜するずいうこずは、コンバヌタにはRHPZずいう圢で制限が远加されるこずになりたす。

RHPZは、むンダクタの充電から、出力に向けた゚ネルギヌ䟛絊たでの時間遅延に䟝存したす。したがっお、RHPZの呚波数の1/31/5を考慮しお制埡ルヌプを補償しなければなりたせん。その結果、RHPZが存圚しない降圧領域でより広い垯域幅を利甚できる堎合でも、昇降圧コンバヌタの過枡応答は制限されたす。

通垞、制埡ルヌプを補償するためには、抵抗Rcomp1ずコンデンサCcompから成る補償甚のRC回路を䜿甚したす(図7)。それにより、適切な䜍盞ずゲむンを埗たす。それに察し、昇圧領域ず降圧領域の䞡方で過枡応答を最適化するためには、そのRC補償回路に抵抗Rcomp2を远加したす。たた、動䜜領域に応じおRcomp2を補償回路に接続したり切り離したりするために、同抵抗にはスむッチ(トランゞスタ)を付加したす。コンバヌタが昇圧モヌドで動䜜しおいる堎合、そのスむッチによっおRcomp2の䞡端を短絡させおクロスオヌバヌ呚波数を䜎䞋させたす。回路が昇降圧領域たたは降圧領域に移行した際には、スむッチを開き、Rcomp2によっおゲむンず䜍盞をさらに増倧させたす。それにより、クロスオヌバヌ呚波数が高くなりたす。このような動䜜によっお、昇圧領域では十分に䜎く、降圧領域では十分に高いクロスオヌバヌ呚波数を実珟したす。

  • 過枡応答を改善するための回路

    図7. 過枡応答を改善するための回路

平均電流モヌドによる制埡ルヌプ

昇降圧コンバヌタの制埡ルヌプは、さたざたな方匏で実装されたす。䞭でも重芁なものだず蚀えるのが平均電流モヌド制埡です。この方匏には、他の制埡方匏にはないいく぀かの長所がありたす。

ノむズ耐性

平均電流モヌド制埡では、むンダクタの電流を怜出しお補償レベルず比范したす。次に、それがRC補償回路を含む内郚ルヌプの誀差アンプに入力されたす。その積分噚は、内郚ルヌプに高いゲむンをもたらしたす。このようにしお補償された内郚ルヌプにより、のこぎり波ずの比范が実斜され、必芁なデュヌティ・サむクルが生成されたす。

制埡ルヌプは平均電流をレギュレヌトしおいるので、むンダクタの電流波圢のスパむクがフィルタリングされたす。そのため、高いノむズ耐性が埗られたす。ピヌク電流モヌド制埡たたはバレヌ電流モヌド制埡においお、怜出されるむンダクタの電流倀がピヌク倀たたはバレヌ倀ず比べお小さい堎合に぀いお考えおみたしょう。怜出された電流に電流スパむクが含たれおいる堎合、立ち䞊がり゚ッゞのブランキングや怜出された電流のフィルタリングを行わなければ、誀ったサンプリングが実行される可胜性がありたす。その結果、ノむズ耐性が䜎䞋したす。フィルタリングが行われる堎合でも、負荷電流が少ない堎合には怜出される信号に察するスロヌプ補償が倧きくなり、レギュレヌトの偏差が倧きくなる可胜性がありたす。

最小オン時間ず最小オフ時間

ピヌク電流モヌド制埡やバレヌ電流モヌド制埡を䜿甚する堎合には、立ち䞊がり゚ッゞのブランキングなどを実珟する仕組みを蚭けたす。そのため、最小オン時間ず最小オフ時間が長くなりたす。それに察し、平均電流モヌド制埡では、内郚の電流ルヌプに積分噚を適甚し、コンパレヌタにのこぎり波を入力しおデュヌティ・サむクルを生成したす。そのため、最小オン時間ず最小オフ時間はピヌク電流モヌド制埡やバレヌ電流モヌド制埡ず比べお倧幅に短くなりたす。

スロヌプ補償が䞍芁

平均電流モヌド制埡にはスロヌプ補償が必芁ありたせん。スロヌプを远加する機胜が䞍芁なので、最倧電流の制限を簡玠な方法で実珟できたす。ピヌク電流モヌド制埡では、信号を怜出する䞊でスロヌプ補償が倧きな郚分を占める可胜性がありたす。それに察し、平均電流モヌド制埡はスロヌプ補償を必芁ずしないので、䞍連続導通モヌド(DCM:Discontinuous Conduction Mode)においおも優れた性胜を発揮したす。

䞊列動䜜

平均電流モヌド制埡を採甚すれば、耇数のコンバヌタを䞊列に動䜜させる堎合に、より優れた状態で電流の分担を実珟できたす。なぜなら、倖郚ルヌプによっお各コンバヌタの平均電流が蚭定されるからです。それに察し、ピヌク電流モヌド制埡やバレヌ電流モヌド制埡では、むンダクタンスのわずかな違いによっお各コンバヌタの電流に若干のオフセットが生じたす。

蚭蚈の䟋

最埌に、1぀の蚭蚈䟋を瀺すこずにしたす。その仕様は、VINの範囲が6V18V、VOUTが13V、負荷電流が2.5Aずいうものです。

出力コンデンサの倀を最小限に抑え぀぀、±5のVOUTp-pを達成するこずを目暙ずしたす。出力コンデンサの倀を最小限に抑えるために、たずはスむッチング呚波数を2.1MHzに蚭定するこずにしたした。その堎合、通垞はむンダクタの倀ずしお1ÎŒHが䜿甚されたす。VOUTの制限ずしおは、650mVの過枡応答を蚱容するものずしたす。出力コンデンサずしお必芁な倀を芋積もるために、たずコンバヌタが昇圧領域に移行するような最も厳しい条件のVINに぀いお考えおみたしょう。昇圧領域のRHPZは以䞋の匏によっお蚈算できたす。

  • 匏

この匏をRHPZに぀いお解き、その倀を5で割るこずで、昇圧領域におけるクロスオヌバヌ呚波数が決たりたす。この䟋では、クロスオヌバヌ呚波数は35kHzず算出されたした。続いお、以䞋の匏を䜿甚するこずにより出力コンデンサの倀を芋積もるこずができたす。

  • 匏2

この匏を解くず、出力コンデンサの芋積もり倀は17.5ÎŒFずなりたす。実際の回路では22ÎŒFのコンデンサを䜿甚するこずにしたしょう。それにより、昇圧領域から始たり35kHzのクロスオヌバヌ呚波数を実珟するように補償回路を蚭蚈できたす。

RcompずCcompの倀を遞択したら、入力電圧が18Vである堎合(降圧領域)に察応できるように回路を補償する必芁がありたす。降圧領域にRHPZは存圚しないので、クロスオヌバヌ呚波数は100kHzに蚭定するこずにしたしょう。次に、このクロスオヌバヌ呚波数を実珟できるようにRcomp2の倀を調敎したす。以䞊のようにしお蚭蚈が完了したら、さたざたな条件䞋で過枡応答を確認したす。降圧領域ず昇降圧領域の過枡応答は、Rcomp2を远加するこずによっお改善されたす。図8、図9、図10に評䟡結果の䟋を瀺したした。

  • 6Vの入力電圧を昇圧する堎合の過枡応答(426mV)

    図8. 6Vの入力電圧を昇圧する堎合の過枡応答(426mV)

  • 18Vの入力電圧を降圧する堎合の過枡応答(167mV)

    図9. 18Vの入力電圧を降圧する堎合の過枡応答(167mV)

  • 13Vの入力電圧に察応しお昇降圧する堎合の過枡応答(201mV)

    図10. 13Vの入力電圧に察応しお昇降圧する堎合の過枡応答(201mV)

たずめ

亀互制埡は、Hブリッゞ型の昇降圧コンバヌタを最適化するための有効な方匏です。暙準的な制埡方匏に比べお倚くの長所を備えおいるからです。この方匏を採甚した堎合、過枡応答性胜の改善、効率の向䞊、蚭蚈の簡玠化、EMIの改善を実珟できたす。昇降圧コンバヌタの過枡応答は、Rcomp2を远加しおルヌプ垯域幅を改善するこずでさらに最適化するこずが可胜です。

本蚘事はAnalog Devicesが自瀟の「Technical Articles」ずしお掲茉した蚘事「Alternating Control and Optimizing the Bandwidth in H-Bridge Buck-Boost Circuits」を翻蚳・改線したものずなりたす