Texas Instruments(TI)は、放射線耐性に優れたハーフブリッジGaN FETゲートドライバの新製品ファミリを発表した。

同製品ファミリとしては宇宙グレードに対応した22V品、60V品、200V品の3シリーズに分けられ、それぞれにプラスチックパッケージでQML(Qualified Manufacturers List:認定取得済みメーカーリスト)Class P、放射線耐性を備えた宇宙用強化プラスチック(SEP)製品、そしてセラミックパッケージでQML Class Vの認定をそれぞれ取得した耐放射線特性製品が用意され、合計9製品が提供される。

これらのデバイスは、ピン互換を有しており、エンジニアは単一のチップサプライヤだけで、衛星電源システムをあらゆる種類の宇宙ミッション用途に設計できるようになると同社では説明しているほか、GaNテクノロジーを活用してサイズ、重量、電力(SWaP)を最適化することで、電気システムの性能向上、ミッションの稼働期間の長期化、衛星の質量と体積の削減、熱管理負荷の最小化などのメリットを得られるとする。

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