半導体製造装置の心臓部である半導体露光機大手3社が新たな成長戦略を打ち出した。唯一のEUV(極紫外線)露光機ベンダーである蘭ASMLは、次々世代微細化プロセスを可能にする高開口度(NA=0.55)機の普及を推進するため、露光機だけではなくフォトマスクなど次世代リソグラフィ技術基盤の整備にも注力している。
対してニコン、キヤノンの国内勢は、ArF(フッ化アルゴン)露光機事業の強化を進めることにした。露光機販売が低迷するニコンは業界標準といえるASMLのArF液浸機と互換性を持たせた新機種の開発に着手、シェア拡大を目指す。ArF機をもたないキヤノンはArFドライ方式露光機市場へ新規参入することでさらなる成長を図る。半導体露光機業界は技術革新を牽引するASMLを頂点に、日本勢が棲み分ける構図が明確になってきた。
独走するASML、高開口度EUV普及へ基盤整備
半導体業界はロジックもメモリーもプロセス微細化の動きが止まらない。TSMCは建設中の2ナノメートルプロセス対応量産工場である台湾・新竹市のFab20と高雄市のFab22を2025年内にも稼働する見通しである。米アリゾナのFab21でも、2028年以降に2ナノ品を量産するなど先端プロセスを牽引する。
2030年頃には2ナノメートル以下の微細化に対応する3次元トランジスタ「CFET」が登場しそうだが、このCFET生産に必須とされるのが高開口度のEUV露光機。解像度を上げるには波長を短くするのが有効だが、13.5ナノメートルのEUV光は限界といえ、あとは光学系を工夫して開口度を上げるしかない。
ASMLは、1台600億円ともされる高開口度露光機の初号機「EXE:5000」を2023年末にインテルに出荷済みだ。TSMCもインテルも半導体受託生産で勝ち抜くにはいち早く次世代プロセスを取り入れる必要があることから、いくら高くても高NA機は争奪戦である。