金沢大学(金大)は2月17日、完全に平坦なダイヤモンド表面をMOS界面に有するダイヤモンドMOSFETを作製することに成功したと発表した。
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今回開発された原子的平坦界面を有する反転層チャネルダイヤモンドMOSFET。(a)模式図。(b)光学顕微鏡像(出所:金大プレスリリースPDF)
同成果は、金大 ナノマテリアル研究所の德田規夫教授、金大 自然科学研究科 電子情報科学専攻/卓越大学院の小林和樹大学院生、産業技術総合研究所(産総研) 先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長らの国際共同研究チームによるもの。詳細は、低次元ナノ材料を含めた炭素材料に関する全般を扱う学術誌「Carbon」に掲載された。
ダイヤモンドは、次世代半導体材料の中でも、高い絶縁破壊電界や熱伝導率を有するため、より大きな電力の制御が必要な領域や、放射線環境下、高温環境下、宇宙環境下といった過酷な環境下において、省エネルギー化や安全性、信頼性に優れた動作につながると期待されている。このような背景の下、研究チームは2016年、独自のダイヤモンド成長技術、不純物ドーピング制御技術、表面・界面制御技術を開発。世界で初めて、ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネル型MOSFETの動作実証に成功したのであった。
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