imecは、12月7～11日に米国サンフランシスコで開催される半導体国際会議「IEDM 2024」にて22件の発表を行う予定であることを発表した。

うち20件がimecの研究者が第一著者だという。これらの論文の多くがロジックとメモリのイノベーションをカバーしたものだとする。また、デモンストレーション・セッションでは、RFシリコンインターポーザに統合されたInPチップレットと短波IR光センサの実演も行う予定のほか、技術スタッフメンバーのBjorn Vermeersch氏がショートコースにて講演を行うともしている。

imecはIEDM開催前夜に独自イベントをサンフランシスコ市内で開催する予定で、そこでテクノロジーの限界を押し広げてムーアの法則を延命させる同社の取り組みを紹介するとしている。

なお、imecの発表予定論文22件のうち、以下の10件をハイライト発表として紹介している。

  • 2-4 | Double-Row CFET: Design Technology Co-Optimization for Area Efficient A7 Technology Node, H. Kukner et al.
  • 2-7 | Monolithic-CFET with Direct Backside Contact to Source/Drain and Backside Dielectric Isolation, A. Vandooren et al.
  • 9-1 | Hetero-Integration of InP Chiplets on a 300 mm RF Silicon Interposer for mm-wave Applications, S. Sinha et al.
  • 19-6 | Magnetic immunity of STT-MRAM: external magnetic field orientation impact on writing reliability, N. Vander Meeren et al.
  • 42-1 | Achieving 1ppm write-error rate in SOT-MRAM with synthetic antiferromagnetic free layer, D. Nguyen et al.
  • 31-3 | System technology co-optimization of cost-bandwidth tradeoffs in Network on Chip through 3D integration and backside signals, M. Brunion et al.
  • 34-2 | Unraveling BTI in IGZO devices: impact of device architecture, channel film deposition method and stoichiometry/phase, and device operating conditions, A. Chasin et al.
  • 37-6 | Novel High Density 3D Buffer Memory Enabled by IGZO Channel Charge Coupled Device, R. Kishore et al.
  • 39-3 | NbTiN based two-metal level semi-damascene interconnects, Josephson junctions and capacitors for Superconducting Digital Logic, A. Pokhrel et al.
  • 41-8 | Lead-Free Quantum Dot Photodiodes for Next Generation Short Wave Infrared Optical Sensors, W. Song et al.