村田製作所は10月6日、高周波電子部品およびセンサの開発・製造を行う金沢村田製作所の敷地内において建設を進めていた新生産棟が完成したと発表した。
新生産棟は延床面積3万4850m2の地上7階建てで、スマートフォンなどに使用する高周波部品など、電子部品の需要増加に対応するために建設された。総投資額は120億円。
同日執り行われた竣工式には、石川県商工労働部部長の普赤清幸氏および同県白山市の山田憲昭市長らが出席した。
吉川明日論の半導体放談 第361回 CES 2026を盛り上げたAMDとIntelの競演
Micronが米国ニューヨーク州の新ファブ建設に着手、最大4つの製造棟建設を計画
キヤノン、ナノインプリントリソグラフィ技術を応用したウエハー平坦化技術を実用化
AI需要で急成長する2026年のメモリ市場、SK hynixがHBMを武器にさらなる成長へ
米政府、NVIDIAの「H200」チップの中国輸出を承認
インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。