米ON Semiconductorの日本法人であるオン・セミコンダクターは7月12日、8メガピクセルの新製品「KAI-08052」イメージセンサを発表した。
同製品はシリコンにおける電子捕獲域を深く広げたCCDピクセル設計を採用し、長波長の光子(フォトン)により発せられた電子の捕捉性を向上。これにより、同社標準のインターライン・トランスファー型CCDピクセル設計と比べて最大で2倍の近赤外線(NIR)感度を実現した。また、ウェル構造は互いのフォトダイオードを隔離するため、イメージの鮮明さを損なうことなくNIR感度を上昇させることができる。
「KAI-08052」はモノクロ、ベイヤーカラー、およびスパースカラー構成でRoHS対応のCPGA-67パッケージで提供され、既存の「KAI-08051」イメージセンサ、5.5μmおよび7.4μm CCDイメージセンサ・ファミリーと完全なピン互換性がある。
同社は、「KAI-08052」において実現した高感度は科学・医療画像などの、標本がNIR波長で放射したり蛍光を発するアプリケーション、あるいはマシンビジョンや高度道路交通システム(ITS)など物体を詳細に検査したり車のナンバープレートを識別するためにNIR照明が頻繁に使用されるアプリケーションにおいて不可欠なものだとしている。
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