Besiとimec、3次元IC向け高精度自動ナローピッチ・ボンディング技術を開発

オランダの半導体アセンブリ装置メーカーBesiとベルギーの半導体・エレクトロニクス研究機関imecは共同で熱圧着を用いて自動的にナローピッチdie-to-waferボンディングを行う技術を開発したと、米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体製造装置・材料展示会「SEMICON WEST 2015」で発表した。2.5D、3D、および2.5D/3Dハイブリッド技術開発に道を拓くとしている。

3D ICを製造する上での課題は、ナローピッチのdie-to-dieあるいはdie-to-waferボンディングを正確に高スル―プットで自動的に行うことである。熱圧着は半導体産業でdie-to-packageボンディングに広く使われている。しかし、圧着に時間がかるため、300mmウェハに適用するには時間がかかりすぎる。

そこでBsiとimecは共同で300mmウェハ向けに自動熱圧着ボンディング・プロセスを開発し、それを搭載したボンダ「Besi、8800 TC」を製作。同ボンダを用いた50μmピッチのソルダ―・マイクロバンプ・アレイには十分な正確さのdie-to-waferボンディングが実現できるデモを披露した。2本のボンドヘッドを用いて1000UPH以上のスル―プットを実現したという。

なお、Besiの幹部社員は「imecと協業することで彼らのファインピッチ・ボンディング材料とプロセスの経験を生かして、半導体産業のニーズにあったボンダを開発できた。これにより、顧客にさまざまな2.5Dおよび3D IC製造向けの装置、とりわけ新しいC2W(Chip to Wafer Bonding)装置を提案出来る」と話していた。