SanDiskは2月24日、組み込みフラッシュドライブ(EFD)「iNANDエクストリーム」の次世代品を発表した。

同製品は、最新モバイルプロセッサと連動するアーキテクチャを採用、独自のデュアルコア設計、ハード/ソフトウェアによるデータ管理アルゴリズム、最新のeMMC 5.0規格対応などにより、データ転送にかかわる遅延時間を低減しつつ帯域幅を効率的に使用する。これらにより、シーケンシャル書き込み、読み込み速度はそれぞれ最大80Mb/s、300Mb/s。ランダム書き込み、読み込み速度はそれぞれ最大3000 IOPS、6000 IOPSを達成し、スマートフォンやタブレットで複数のアプリケーションを同時に、かつスムーズに動作させ、4K映像の録画・再生や、より解像度の高い画像の撮影や共有にも十分対応する応答性を実現している。

また、同製品を搭載したAndroidデバイスは、使用中にストレージがいっぱいとなったとしても高い水準の性能を維持できる。加えて、新たに高度なエラー訂正メカニズムを採用することで、ストレージの耐久性を大幅に向上させ、断片化などのストレージやモバイルデバイスの速度を経年的に低下させる問題にも対応している。

さらに、有力な携帯電話メーカーやタブレットメーカーとの連携や、広く使用されているアプリケーションプロセッサベンダーとの密接な協業を通じ、高性能な次世代モバイルデバイス設計向けに最適化されている。そして、最先端のシミュレーション、トラブルシューティング、開発向けツールが用意されているため、迅速かつ容易に組み込むことができ、製品の開発から市場投入までの時間を大幅に短縮できる。

なお、「iNANDエクストリーム」は、19nmプロセス技術の第2世代となる1Ynmプロセスで製造されており、11.50mm×13mm×1.0mmサイズのパッケージで64GBの容量を実現している。現在、特定顧客向けにサンプル提供が開始されており、量産開始は2014年第2四半期を予定している。