Freescale Semiconductorは、GaAsプロセス技術をベースとする新しい拡張モードpHEMT低ノイズ・アンプ(LNA)「MML09231H」を発表した。

700～1400MHzで動作するさまざまなワイヤレス・システムを対象に、最適なレシーバ性能を実現します。小型セル/マクロセル・トランシーバをはじめとして、極めて優れたNF指数、高いリニアリティ、高いRF出力が求められる幅広いアプリケーションで使用可能です。

同製品は、700～1400MHzで動作するさまざまなワイヤレス・システムを対象にしたもので、NFが900MHz時に0.36dBのノイズ指数を実現している。

また、OIP3(3次出力インターセプト・ポイント)は900MHz時に37.4dBmで、次世代ワイヤレス・システムに求められる高リニアリティに対応することが可能。

さらに、最大+20dBmの入力信号に対応し、+24.5dBm(280mW)のピークRF出力、-21dBのリバースアイソレーション、17.2dBの小信号ゲイン(外部調整可能)、単一の5V DC電源から55mAの電流消費での動作のほか、統合電源停止ピン、一定の電流を維持するアクティブ・バイアス制御、温度に関する無条件の安定性、少ない外部コンポーネント数などの特長を備えている。

なお、同製品は、すでに量産出荷を開始しており、評価向けリファレンス試験装置も利用可能となっている。