東芝は12月7日、リチウムイオン電池保護回路や各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ向けに、最新世代となる第8世代プロセスを採用した低オン抵抗MOSFET「TPN2R503NC」を製品化し、量産を開始したことを発表した。また、併せて既存製品の後継品「TPN4R203NC」、「TPN6R303NC」も製品化したことを併せて発表した。

TPN2R503NCは、第8世代プロセスを採用することで、2.1mΩ(Typ. VGS=10V)、2.5mΩ(Max. VGS=10V)のオン抵抗を実現している。

また、TSON Advanceパッケージを採用することで、高い放熱特性を実現している。

TSON Advanceパッケージを採用した東芝の第8世代プロセス採用の低オン抵抗MOSFET「TPN2R503NC」