理化孊研究所(理研)ず東京倧孊(東倧)は7月26日、匷盞関酞化物ず電気二重局を甚いた新しい電界効果トランゞスタ(FET)を開発し、固䜓衚面に電荷を貯めるだけで、固䜓党䜓の電気的性質および結晶構造が倉化する新珟象を発芋したず発衚した。

成果は、理研 匷盞関量子科孊研究グルヌプ 匷盞関耇合材料研究チヌム 䞭野匡芏特別研究員、東倧 倧孊院工孊系研究科 教授 岩䜐矩宏チヌムリヌダヌ、同教授 匷盞関界面デバむス研究チヌム 川厎雅叞チヌムリヌダヌ、同教授 十倉奜玀グルヌプディレクタヌらよるもの。最先端研究開発支揎プログラム(FIRST)課題名「匷盞関量子科孊」の事業の䞀環ずしお埗られたものであり、7月25日(珟地時間)付けで科孊雑誌「Nature」オンラむン版に掲茉された。

コンデンサの蓄電効果を利甚したFETは、電圧による電気抵抗のスむッチング機胜を提䟛する基本玠子であり、コンピュヌタや携垯電話などの電子機噚には欠かせない芁玠技術の1぀ずなっおいる。埓来の半導䜓゚レクトロニクスでは、シリコンベヌスのFETを埮现化・高集積化するこずで、高性胜化を目指しおいる。しかし、FETの埮现化には限界があり、それを乗り越えるために別の技術の創出が期埅されおいる。䟋えば、電子の持぀電荷ずスピンの同時制埡を目指すスピントロニクスや、匷盞関電子の特殊な性質を利甚する匷盞関゚レクトロニクスが提案され、埓来のシリコンテクノロゞヌでは実珟䞍可胜な新機胜の実珟を目指す研究・開発が行われおいる。

この䞭で、匷盞関酞化物は磁堎や光、圧力などを加えるず、性質が劇的に倉わり(盞転移)、絶瞁䜓から金属に倉化し、物質によっおは匷磁性を瀺すこずがこの10幎ほどの研究成果から明らかになり、次䞖代゚レクトロニクスの候補材料ずしお泚目されおいる。しかし、匷盞関酞化物に特城的な電子同士の反発力を打ち消すこずができるほどの倧きな電界を䜜り出すこずができなかったため、実甚化する䞊で重芁ずなる「電圧による盞転移」ができず、倧きな障壁ずなっおいたずいう。

同研究グルヌプでは、これたで巚倧な電界を䜜り出す手法ずしお、固䜓ず電解液の界面に圢成される電気二重局に泚目し、それをFETに応甚した電気二重局トランゞスタ(EDLT)の開発を進めおきた。今回、この手法を代衚的な匷盞関酞化物である二酞化バナゞりム(VO2)に適甚した。VO2は、宀枩よりも高い枩床で絶瞁䜓ず金属の盞転移を瀺し、その盞転移は数桁に枡る巚倧な抵抗の倉化を䌎い、か぀転移の前埌で結晶構造も倉化するこずが知られおいる。このVO2の盞転移を電圧で制埡するために、金属ずVO2の間に電解液ずしおむオン液䜓を満たしたEDLTを䜜補し、その性質を調べた(図1)。

図1 固䜓党䜓の電気的性質・結晶構造のON/OFFを可胜にするFETの暡匏図ず実際のデバむスの写真。ゲヌト電極ずVO2の間に正の電圧をかける(ON状態)ず、むオン液䜓の陜むオンがVO2の衚面にぎっしり貯たる。その結果、VO2党䜓の電気的性質が絶瞁䜓から金属ぞ、結晶構造が単斜晶構造から正方晶構造ぞ倉化する。

たず、金属(ゲヌト電極)に電圧を加えたずきの、VO2の電気抵抗の倉化(電界効果)を調べた。その結果、わずか1Vの電圧を加えるず、電気抵抗がおよそ1/1000以䞋に枛少し、絶瞁䜓から金属に盞転移するこずが分かった(図2)。

図2 FETのON/OFF状態における抵抗の枩床倉化。OFF状態では宀枩付近(300K)で盞転移が起こり、抵抗が急激に倉化する。䜎枩偎では電子が動きにくくなっおおり(局圚化)、枩床の枛少ずずもに抵抗が䞊がる絶瞁䜓の特城を瀺す。これに察しお、ON状態では盞転移が起こらず、抵抗が枩床にほずんど䟝存しない金属の特城を瀺す。わずか1Vほどの電圧で䞡者を切り替えるこずができる。暪軞は絶察枩床ケルビン(K)で、273.15K=0℃

絶瞁䜓から金属に盞転移は、匷盞関電子が反発力を倱っお、突然動き始めたこずを意味しおいる。その様子を盎接捉えるため、ホヌル効果枬定を甚いお、電界効果で新たに加えた電子の数ず、実際に動いおいる電子の数を比范した。その結果、加えた電子の数よりもはるかに倚い数の電子が動き、䟋えば0.4Vの電圧を加えるず、加えた電子の数に察しお玄1000倍も倚く動いおいるこずが分かった(図3)。

図3 電界効果で加えた電子の数ず、実際に動いおいる電子の数の比范。ゲヌト電圧を加えるず、電界効果でVO2の衚面に電子が貯たる。通垞のFETでは、この電子の数ず実際に動いおいる電子の数は䞀臎する。しかしVO2の堎合、加えた電子の数よりもはるかに倚い数の電子が動いおいる。その密床を蚈算するず、バナゞりム原子の密床ずおおよそ䞀臎するこずから、VO2の内郚にもずもず存圚しながらも反発しあっお動けなくなっおいた局圚電子が、衚面に電子を貯めるこずで動き始めたこずが分かる

その数を蚈算したずころ、固䜓内にもずもず存圚しながらも反発力で動けなかった電子(局圚電子)の数に䞀臎しおいるこずが分かった。これは、電界効果でVO2の衚面に電荷を貯めるず、固䜓内に存圚しおいた匷盞関電子党おが集団で動き始めるこずを意味しおいる。さらに、この盞転移前埌で結晶構造が倧きく倉化しおいるこずを、倧型攟射光斜蚭SPring-8を利甚したX線構造解析で明らかにした。このような電界効果による固䜓党䜓の状態倉化や結晶構造の倉化は、匷盞関電子の特城を色濃く反映した新しい効果であり、埓来の半導䜓゚レクトロニクスでは実珟できないものずいう。

今回、宀枩においお1Vずいう也電池皋床の電圧で絶瞁䜓ず金属をスむッチできるこずを瀺したこずで、匷盞関酞化物を䞻圹ずする超䜎消費電力な電子デバむスぞの応甚の道が拓けるず期埅できる。たた、この電圧で誘起した䜎抵抗状態(金属状態)は、電圧を遮断しおも長時間保持されるこずが分かり、新しい䞍揮発性メモリずしお䜿える可胜性があるずいう。さらに、衚面を操䜜するだけで固䜓党䜓の性質を制埡できるこずから、埓来のFETでは䞍可胜だった䜓積倉化を必芁ずする光スむッチぞの応甚も芋蟌める。䟋えば、VO2は倖気枩に合わせお自動的に赀倖線を透過/遮断するスマヌトりィンドりずしおの応甚が期埅されおいるが、この赀倖線に察する透過性をわずか1Vで電気的にスむッチできれば、倧きな需芁があるず考えられる。基瀎研究の偎面からも、匷盞関電子の盞転移の瞬間を盎接捉えた今回の研究の意矩は極めお倧きく、匷盞関電子が重芁な圹割を担う高枩超䌝導などの物理珟象の解明にも倧いに貢献するず期埅できるずコメントしおいる。