米Applied Materials(AMAT)は7月9日(米国時間)、サブ20nmに対応したウェハ検査装置「Applied UVision 5」を発表した。

同装置は、DUV(深紫外線)レーザの他、明視野・散乱光(グレイフィールド)の同時集光機能を備え、ウェハ上の光強度が従来装置より最大で2倍まで高められ、致命欠陥の検出数が2倍に増えた。感度を高められたことにより、微細な回路の製造を安定的かつ確実に管理することができる。

UVision 5の光学系は、ウェハ上の光密度を従来の2倍に高めたのに加え、独自の集光経路により、従来機種に比べ散乱光を最大で30%多く集めることができる。さらに、ウェハに起因するノイズを最大50%低減する独自の新画像処理アルゴリズムを併用することで、ArF液浸リソグラフィ、ダブル/クアッドパターニングおよびEUVリソグラフィレイヤなどにおける検出性能が強化された。

ファウンドリでは、毎年数千種もの新しいチップデザインが投入される。「UVision 5」では生産性向上に寄与するため、検査時間を大幅に短縮させ、迅速な製造立ち上げをサポートするという。さらに、同社の欠陥レビュー装置「SEMVision G5」と統合ができ、一体型の欠陥検査・レビューソリューションを形成することが可能。設計情報を利用してレイアウトデータを構築する機能を備えており、欠陥捕捉率が向上し、1検査レシピ当たりのオペレータ作業時間を最大で15時間短縮できる。

ウェハ検査装置「Applied UVision 5」