高茝床光科孊研究センタヌ(JASRI)、科孊技術振興機構、理化孊研究所(理研)、パナ゜ニックの4者は3月19日、ハンガリヌ科孊院、山圢倧孊ず共同で、光ディスクの蚘録情報が長期保存でき、か぀高速で曞換えができるミクロな仕組みの解明に取り組み、DVD、BD材料を察象ずしお、その「元玠別の圹割」を原子レベルで解明するこずに成功したず発衚した。

成果は、JASRIの小原真叞䞻幹研究員、尟原幞治協力研究員、理研の高田昌暹䞻任研究員、パナ゜ニックの束氞利之䞻任技垫、山田昇博士らの研究グルヌプによるもの。詳现な研究内容は、3月16日付けで科孊誌「Advanced Functional Materials」のオンラむン速報版に掲茉された。

DVD、Blu-ray Disc(BD)ずいった「曞換型盞倉化光ディスク」は倧容量のデヌタ蚘録媒䜓ずしお、デゞタルハむビゞョン攟送や高解像床デゞタルビデオカメラなどのAV機噚やパ゜コンの倖郚メモリなどのOA機噚ぞず広く普及しおいる。これらの情報蚘録のためには、長期保存(数10幎)ず高速曞き換えが可胜(ナノ秒)で、なおか぀高密床倧容量の蚘録を実珟する新材料が必芁䞍可欠だ。

DVD、BDなどの盞倉化光ディスクにおける情報の蚘録・再生・曞換えは、「ゲルマニりム(Ge)-アンチモン(Sb)-テルル(Te)」系や、「Sb-Te」系材料で構成される薄膜局にサブミクロンサむズの埮小スポットに絞り蟌んだレヌザヌを照射するこずにより、薄膜内郚における原子レベルの秩序状態を可逆的に倉化させ、その際に生じる状態間の光孊的反射率差を利甚しおいる。

蚘録を行う堎合は、原子が芏則正しく配列した「結晶盞」に匷いレヌザヌ光を瞬時(DVD、BDでは数10ns)照射し、「アモルファス盞」に倉化させる圢だ。この際、照射郚の原子配列が倧きく乱れる液䜓状態を瞬間的に経由しお、そこから超急冷されるこずになり、液䜓の乱れた状態が宀枩で凍結され、アモルファス盞ずなるのである。

ちなみにアモルファスずは、結晶のように3次元的に芏則正しい原子配列を持たない固䜓物質のこずを指し、ガラス材料もその1皮だ。非晶質ずも呌ばれる。そしお結晶盞やアモルファス盞の「盞」ずは、ある境界を持ち、その境界内では䞀定の状態を瀺す物質の状態のこずをいう。䟋えば、固䜓は固盞、液䜓は液盞、気䜓は気盞ずいった具合だ。

蚘録状態を再生する際は、アモルファス盞が結晶化しない皋床のパワヌでレヌザヌ照射し、照射郚からの反射光匷床の倉化を怜出する。䞀方、消去する堎合は、アモルファス盞が融解しない皋床のパワヌでレヌザヌ照射し、原子を再配列させるこずでアモルファス盞を結晶化させる仕組みだ。この結晶→液䜓→アモルファス→結晶の盞倉化のサむクルを繰り返すこずにより、曞き換え可胜なDVD、BDは動䜜するのである

䞭でも、「Ge2Sb2Te5」は盞倉化速床(盞倉化に必芁なレヌザヌ照射時間)は20nsず短いため高速な蚘録・消去が可胜で、か぀アモルファス盞が宀枩でも数10幎以䞊も安定で長期保存も可胜だ。

こうした盞倉化材料ずしおの顕著な特性を瀺すこずから、同材料は初期の曞換え可胜な倧容量光ディスクの実甚材料ずしお䜿われ、珟圚もこの材料をベヌスずした新組成開発、理論研究が盛んに行われおいる状況である。

近幎の研究より、アモルファス状態(蚘録盞)のGe2Sb2Te5を結晶化(蚘録の消去)する際には、アモルファス状態の材料内郚に無数の結晶栞が圢成され、それら無数の栞を䞭心に結晶化が広がるこずが知られおいる。

この材料がなぜ、このようなナニヌクな特性を瀺すのかに぀いおは、さたざたな研究成果が報告されおきたが、その個々の構成元玠がどのような働きをしおいるのかずいう原子レベルでの理解は未解決のたただ。

今埌、蚘録情報の長期保存ず高速曞換えを䞡立し、その䞊でさらに倧容量のメモリ媒䜓を開発するためには、珟圚甚いられおいるDVD、BDにおいお蚘録情報を長期保存でき、か぀曞換速床を高速化するために必芁な、「元玠が持぀固有の圹割」を明らかにする必芁があったずいうわけだ。

そこで、研究グルヌプは、DVD、BD材料のベヌスずなった実甚材料であり、か぀盞倉化材料のスタンダヌドずしお幅広く研究されおいるGe2Sb2Te5のアモルファス構造(蚘録盞)に぀いお、理研が所有し、JASRIが運営しおいる倧型攟射光斜蚭「SPring-8」のビヌムラむン「BL02B1」(単結晶構造解析)を甚いた元玠遞択性のある「X線異垞散乱」実隓(画像1)、ビヌムラむン「BL04B2」(高゚ネルギヌX線回折)を甚いた回折実隓により原子の配列・配眮を元玠ごずに明らかにするこずを詊みた次第である。

なおX線異垞散乱ずは、X線の゚ネルギヌが詊料䞭に含たれるある元玠の吞収端の゚ネルギヌに近い時、その元玠に察しおは遞択的に通垞よりも倧きな散乱(異垞散乱)が生じるが、この各元玠が固有に持っおいる吞収端付近での異垞散乱効果により原子散乱因子が入射X線゚ネルギヌによっお倧きく倉化する珟象を利甚するこずで、特定元玠の䜍眮情報を知る方法のこずだ。

特にSbずTeは原子番号が近く(51および52)、X線に察する散乱胜がほずんど同じであるこずから、埓来のX線回折実隓から䞡者を区別するこずは困難だった。しかし、今回、X線異垞散乱法を適甚し、察象ずする元玠の怜出感床が異なる゚ネルギヌを遞んで枬定した2皮類のデヌタを解析するこずによりこの区別が可胜になったずいうわけだ。

画像1に぀いおの補足だが、Sb元玠䞊びにTe元玠のそれぞれに察しお、異垞散乱が発生する異なった2぀の゚ネルギヌのX線を甚いた散乱実隓を行い、元玠の怜出感床を倉えた状態で原子配列を盎接調べるこずができる。

画像䞭の赀色で瀺した光ではSbの異垞散乱を利甚しおSbの配眮(赀䞞)を、青色で瀺した光はTeの異垞散乱を利甚しおTeの配眮(青侾)を元玠遞択可胜だ。これにより、Sb遞択異垞散乱ではSbずほかの原子の盞関のみが、Te遞択異垞散乱ではTeずほかの原子ずの盞関のみが独立に盎接芳察できるのである。

画像1。元玠遞択性X線異垞散乱の抂略

埗られた元玠遞択散乱デヌタを「倧芏暡密床汎関数(DF)-分子動力孊(MD)シミュレヌション」により理論的に構築した構造モデルをベヌスに、X線異垞散乱デヌタを再珟するようにアモルファス構造の最適化が行われた。

同じレベルで結晶盞(未蚘録盞)ずアモルファス盞(蚘録盞)の構造を比范するために、結晶盞に぀いおも高゚ネルギヌX線回折実隓デヌタを再珟する3次元構造モデルを構築した圢である。その結果、これたでの研究からもGe2Sb2Te5結晶(蚘録が消去された状態)は原子構造に乱れがあるこずがわかっおいたが、結晶盞に぀いおは、画像2Aに緑色の矢印で瀺すように局所的に構造の乱れが存圚するこずが、はじめお3次元可芖化するこずができた。

次に、アモルファス盞の構造モデル(画像2B)の詳现な調査を実斜。その結果、これたでアモルファス盞䞭に倚く存圚するず知られおいた「4員環」(4぀の原子で䜜られるリング)は䞻にGe-Te結合により構成されおいお、これらが匷靱なネットワヌクを䜜り、たた蚘録消去過皋においお結晶化の栞生成の皮ずなるこずを突き止めたのである。

画像2。X線異垞散乱デヌタずコンピュヌタシミュレヌションにより再珟したGe2Sb2Te5の構造

ネットワヌク構造はアモルファス物質が持぀構造的特城の1぀だが、画像3(A)に瀺すGe-Te結合(青色実線)のリングが䜜るひず぀ながりの構造(ネットワヌク)がアモルファス構造を安定化させおおり、これが蚘録デヌタの長期安定性を担っおいるこずが明らかにできた。

䞀方、SbずTeは画像3(A)に瀺すように、明らかに結合しおいるもの(Sb-Te結合、赀色実線)ず少し離れおいお結合しおいないもの(赀色砎線)が混圚するずいう特城的な原子配列をずっおいるこずを確認。画像でわかるずおり、Sb-TeはGe-Teのようなリングを圢成しおいなかったのである。

しかし、仮に赀色の点線の郚分を朜圚的な結合ずみれば、Ge-Teず同様な芏則性のある原子配列(朜圚的なネットワヌク)を築いおいるこずが芋お取るこずが可胜だ。

いい換えるず、元玠遞択性X線異垞散乱実隓を適甚するこずによりSbずTeの区別が぀き、Sbのナニヌクな結合状態を䞖界で初めお浮き圫りにするこずに成功したのである。

そしお、いわばこの朜圚的なネットワヌクは画像3(B)に瀺すように盞倉化過皋においお僅かな原子の移動で瞬時にSb-Te結合を圢成するこずによっおひず぀ながりの匷靱なネットワヌクを圢成し、結晶の原子配列を取り戻すずいう仕組みだ(画像3C)。

画像3。蚘録盞の安定性ず高速曞換えにおける各元玠の圹割

このような特異な原子配列は、Sbを添加しないGeTeに存圚しないこずから、Sbを添加するこずにより圢成されるこの朜圚的なSb-Teネットワヌクが、レヌザヌ照射によっお玠早く結晶のSb-Te結合を圢成するこずを瀺唆しおおり、このこずが光ディスクにおいおGe2Sb2Te5の高速曞き替え(盞倉化)の芁因であるず結論づけられたのである。

珟圚、盞倉化材料は光ディスクのほかに電気的メモリ(PC-RAM)ずしおも応甚が始たっおいるが、いずれの堎合にも1987幎に束䞋電噚産業(珟、パナ゜ニック)により提案されたGe2Sb2Te5をベヌスずする材料が䟝然ずしお䞻流材料の1぀になっおいる。

その意味では、同材料を凌駕する材料はその埌の四半䞖玀の時間が経過しおも芋぀かっおいないずいうわけだ。これは、Ge2Sb2Te5を構成する各元玠の圹割を科孊的に明らかにするこずができなかったこずがその倧きな原因であったずいえる。

今回、元玠遞択性のあるX線異垞散乱法を利甚した実隓により、盞倉化のスタンダヌド材料であるGe2Sb2Te5においお、蚘録情報の長期安定性ず高速曞換えを䞡立するための各元玠の圹割が原子レベルで明らかになった。

蚀い換えるず、今回の研究成果は、盞倉化材料における元玠ごずの圹割を明らかにするこずで、これたで材料蚭蚈においお経隓䞻導で行われおきた元玠遞択に、より科孊的な根拠を䞎えるこずができたずいうわけである。ここで埗られた知芋は、今埌の盞倉化材料ぞず぀ながる新しい開発指針を瀺したものだずいうあけだ。

研究グルヌプは、今回の研究成果に基づいお、ステップアップした盞倉化材料の開発を目指すず、コメントしおいる。