AMAT、酸化物半導体向けプラズマCVD成膜技術を発表

米Applied Materials(AMAT)は3月20日(米国時間)、次世代のタブレットPCやテレビ向けの高性能・高精細なディスプレイを製造する新しいプラズマCVD成膜技術を搭載した「AKT-PECVD装置」を発表した。同装置によって成膜される先進的な絶縁膜により、酸化物半導体ベースのトランジスタを使用して、より小さく、応答速度の速いピクセルを作ることができ、より高精細なディスプレイの製造が可能になる。

新しいプラズマCVDによる膜は、トランジスタの安定性を改善し、最適化されたスクリーン性能を可能にする酸化物半導体向け誘電体膜界面を提供する。高品質なSiO₂膜を最大9m²までのガラス基板に均一に成膜することができ、高い生産歩留まりと低い製造コストを可能にする。これにより、酸化物半導体導入における絶縁膜の均一性と安定性の問題を克服する。

AKT-PECVD装置の機能を酸化物半導体用の絶縁膜成膜用に拡張することにより、酸化物半導体技術を迅速に安く市場に投入することに貢献する。

また、同社では新しいプラズマCVD成膜ソリューションに加えて、さらに先進的なスパッタリングによるソリューションも開発しており、最新のロータリーカソード技術を使い、非常に均一、均質で、欠陥の少ない活性層膜を、現在市場にあるスパッタリング装置に比べ、高い生産性低い材料コストでの製造を実証しているという。