JSRと子会社であるJSR Microは、IBMのアルマデン研究所との共同研究により、20nmプロセス世代以降向けとして、新たな誘導自己組織化材料技術(DSA:Directed Self Assembly)を開発した。2011年2月27日(米国時間)から3月3日まで米国カリフォルニア州サンノゼ市で開催されている半導体製造のリソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2011」にて発表された。

DSAは、微細加工をする際に、光によるリソグラフィを用いる事無く、材料の物性、組成をコントロールし、形成するパターンの位置、寸法、形状制御を行う方法であり、微細化を促進することに加えてコスト面でも有望視されている技術。

JSRは独自の高分子技術を応用し、異種ポリマーの相溶性とリソグラフィ材料技術の組み合わせを行うことに よる微細なパターン形成に取り組んでおり、22nmハーフピッチのパターン形成に成功しており、今回の発表は、同技術の内容を説明したものとなっており、JSRでは様々な用途にむけて、EUVリソグラフィなど他のパターニング技術とともに10nm世代以降のプロセスの微細化を可能にするものとしている。

同社では、自己組織化材料は、高価な露光装を用いる事無く、微細加工が可能となることから、プロセスコストの削減が期待できることから、今後は、独自開発した様々な高分子技術の応用によるArF延命に向けたダブルパターニング材料、EUVリソグラフィ材料の開発に加え、自己組織化材料の開発を進めるほか、高密度実装材料やCMP材料などの半導体製造に必要な先端材料の総合的な開発を進めていくとしている。