Infineon Technologiesは、低オン抵抗や容量性スイッチング損失の削減など、最新のスーパージャンクション(SJ)デバイスのメリットと、スイッチング動作の容易な制御を兼ね備えた、高性能パワーMOSFETの新シリーズ「650V CoolMOS C6/E6」の提供を開始したことを発表した。
C6およびE6は、同一の技術プラットフォームをベースとしているが、C6は、容易に使用できるよう最適化が図られており、E6は、最高の効率性を実現できるよう設計されている。
2シリーズは、同社の高電圧SJパワーMOSFETの第6世代製品で、同社が以前発売した「CoolMOS 600V C6/E6」の製品ラインを補完することが可能となり、これにより650Vのブロッキング能力が要求されるようなアプリケーションにも第6世代CoolMOS技術のメリットを提供できるようになると説明している。
C6/E6シリーズは、従来の「CoolMOS C3 650V」ファミリと比較して、出力キャパシタンス(Eoss)のエネルギーを最大20%抑えることが可能となっている。
なお、280mΩ、TO220 FullPAKの「IPA65R280C6」「IPA65R280E6」および380mΩ、TO220 FullPAK「IPA65R380C6」「IPA65R380E6」はすでにサンプル出荷を開始しており、IPA65R280C6およびIPA65R280E6の価格は、それぞれ1万個受注時の単価で2.90ドルとなっている。これらのC6/E6シリーズ第1弾の量産開始は、2010年7月を予定しており、順次製品ラインの拡大が行われ、2010年末までには完了する予定となっている。
