Texas Instruments(TI)は、同種のパワーMOSFETデバイスの半分のサイズで、出力電流25Aにおいて90%を超える効率の同期型ハーフ・ブリッジ「CSD86350Q5D」パワーブロックを発表した。1パッケージ内に、2個の非対称な「NexFET」パワーMOSFETを内蔵し、サーバ、デスクトップおよびノートPC、基地局、スイッチ、ルータおよび大電流のPOL(point-of-load)コンバータをはじめとした、低電圧同期整流降圧型ハーフ・ブリッジを使用する各種アプリケーション向け製品となっている。

同期型ハーフ・ブリッジ「CSD86350Q5D」パワーブロック

NexFETパワーブロックは、効率および電力密度の向上のほか、1.5MHzまでのスイッチング周波数で最高40Aの出力電流を供給できることから、ソリューション全体のサイズの縮小およびコストの低減が可能となる。

2個の5mm×6mm QFNパッケージのMOSFETの半分の実装面積となる5mm×6mmのSONパッケージを採用。同パッケージは、底部にグラウンド電位の放熱パッドを備えており、基板レイアウトの簡素化が可能となる。

また、GaNをはじめとした、そのほかの半導体テクノロジーと同等の性能を実現することが可能なNexFET技術により他ソリューションと比較して、電力損失を増加させずにスイッチング周波数を2倍に向上させることが可能だ。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しており、1,000個受注時の単価(参考価格)は1.75ドルとなっている。