本連茉はHisa Ando氏による連茉「コンピュヌタアヌキテクチャ」の初掲茉(2005幎9月20日掲茉)から第72回(2007幎3月31日掲茉)たでの原皿を再掲茉したものずなりたす。第73回以降、最新のものに぀きたしおは、コチラにお、ご確認ください。

マむクロプロセサの消費電力が増加し、最䞊䜍のPentium 4プロセサでは100Wを超える電力になっおいるのはご存知の通りである。図1は2001幎のISSCCでのIntel瀟のGelsinger副瀟長の基調講挔で瀺されたものであり、2005幎には数KWになるず予想しおいる。たた、図2はCPUチップの平方cmあたりの消費電力密床の掚移を瀺した図で、既にホットプレヌトを超え、原子炉に近づいおおり、このたた延長するず2010幎には倪陜衚面ず同皋床ずなるずいうショッキングな図である。このように、Intelも消費電力の増加の問題を十分承知しおいた筈であるが、電気を喰うNetburstアヌキテクチャのPentium 4のクロック呚波数を䞊げ続ける路線を継続した。しかし、2004幎になっおようやく、これではどうにもならないず省電力に舵を切りなおした蚳である。

その省電力の切り札がマルチコアである。しかし、1個のプロセサコアでも電気を喰いすぎお困っおいる時に、それを2個䜿うず合蚈の電力が枛るずいうのは垞識では理解し難い。ずいうこずで、䜕故、マルチコアで消費電力が枛るかずいうこずに぀いお述べる。

  • Intelプロセサの消費電力掚移

    図1:Intelプロセサの消費電力掚移(出兞:P. P. Gelsinger, "Microprocessors for the new millennium: Challenges, opportunities, and new frontiers," IEEE International Solid-State Circuits Conference, vol. XLIV, pp. 22 - 25, February 2001.)

  • 電力密床の掚移

    図2 電力密床の掚移(出兞:P. P. Gelsinger, "Microprocessors for the new millennium: Challenges, opportunities, and new frontiers," IEEE International Solid-State Circuits Conference, vol. XLIV, pp. 22 - 25, February 2001.)

CMOS回路の消費電力

それには、䜕故、プロセサが電力を喰うのか? ずいうこずから考える必芁がある。珟圚の殆どのCPUチップにはCMOSずいう半導䜓技術が甚いられおいる。CMOSは盞補型(Complementary)の電界効果型トランゞスタ(MOSトランゞスタ)を甚いる回路圢匏で、䞀番簡単な論理回路であるむンバヌタ(吊定回路)は図3のような構成になっおいる。

  • むンバヌタ回路ず負荷容量

    図3 むンバヌタ回路ず負荷容量

ここで䞊偎のP型MOSトランゞスタは入力が接続されたゲヌト電極が0Vになるず導通(ON)し、ゲヌト電極がVdd(電源電圧)になるず非導通(OFF)になる。䞋偎のN型MOSトランゞスタはその逆で、ゲヌト電極がVddになるず導通し、0Vになるず非導通になる。぀たり、入力が0V(Low)であっおもVdd(High)であっおも片方がONし、他方がOFFになるので、電源からグランドには電流が流れず、埮小な挏れ電流を別ずすれば電力を消費しないずいう優れものである。

では䜕故、CMOS回路が電力を消費するかずいうず、図3にCLず曞いた負荷容量が付くず、出力をHigh(Vdd)にするためにはP型MOSトランゞスタを通しお電源から電流を䟛絊しおCLを充電しおやる必芁がある。そしおCLに充電された電荷はN型MOSトランゞスタが導通するずグランドに捚おられおしたい、次に出力をHighにするには充電が必芁になり、ここで電力を消費するのである。図3に曞いたように、CLは実際には配線容量や次段の論理回路の入力容量などからなっおいる。

負荷容量CLを0VからVddたで1回充攟電するには、 CL*Vdd^2の゚ネルギヌが必芁である。これを毎クロックサむクル行うずクロック呚波数倍の゚ネルギヌずなるが、䞀般には毎サむクル充攟電を行う蚳ではないので、これに動䜜率αずいうファクタヌを掛けお、消費電力Pは、

  • 数匏

P=αCLVdd^2*fず衚わされる。぀たり、消費電力は充攟電が行われる比率ず負荷容量ずクロック呚波数に比䟋し、電源電圧の二乗に比䟋する。䜆し、ここでは挏れ電流による消費電力は陀いお考えおいる。

プロセサの省電力を考える時には、このα、CL、Vdd、fのいずれか、あるいは耇数の芁玠を枛らせば良い蚳である。そしお、これらの䞭で䞀番効くのは二乗に比䟋する電源電圧Vddである。これがノヌトPC甚の䜎電力プロセサずしお電源電圧を䞋げたLV(Low Voltage)やULV(Ultra Low Voltage)ずいうタむプが䜜られる理由である。そしお、メカニズムは埌に述べるが、電源電圧を䞋げるず動䜜呚波数も䜎くせざるを埗ないので、fが小さくなるこずにより曎に消費電力は䞋がるこずになる。

しかし、クロック呚波数を䞋げるず、䞀定の仕事をするのに必芁な時間が延びるので、バッテリラむフの芳点から芋た電力(WHr)はクロック呚波数には䟝存せず、電源電圧の2乗だけに比䟋する。

補足であるが、図3においおより倧きな電流を流すこずが出来るトランゞスタを䜿うず消費電力が増えるず誀解しおいる人があるが、電力の匏にはトランゞスタが流せる電流に䟝存する項は無く、トランゞスタの匷匱はCLを充攟電する速床には効くが、第䞀矩的には電力には圱響しない。䜆し、速床を速くするために、倧きな電流を流すこずの出来る倧きなトランゞスタを䜿うず、入力容量が倧きくなり、結果ずしお消費電力の増加に繋がる。