米Intelと米Micron Technologyは8月11日 (現地時間)、3ビット/セル (3bpc)のMLC (Multi-Level Cell) NAND技術を発表した。

NAND製造プロセスの微細化が段階的であるのに対して、フラッシュメモリカードやUSBドライブなどコンシューマ向けストレージデバイスでは常に大容量化が求められている。IntelとMicronは、合弁事業IM Flash Technologies (IMFT)における現行の34nmのNAND製造プロセスを、こうした要求に対応させるアップデートとして3bpc NAND技術を投入する。

32Gビット 3bpc NANDチップのダイサイズは126平方ミリ。昨年5月に発表した34nm 32GビットのMLC NAND製品(2bps)は172平方ミリだった。「最小かつ費用効果の高い32Gビット・チップを実現する」と両社。すでにMicronがサンプリングを開始しており、2009年第4四半期に量産へと移る計画だ。