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連載

imecが開発した最先端のSOT-MRAMデバイス

従来のMTJスタック(左)とSAFベースのフリー層(FM1/Ru/FM2)を備えたMTJスタック(右)の概略図。SAF構造の上部のフリー磁性層FM2は、TMRを使用したSAFの電気的読み出しのためにCoFeB/MgOと強磁性結合している (IEDM 2024で発表)

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