図3:Cu-Cu接続性の評価に使用される、等しいパッド設計の400nmピッチの長さのデイジーチェーンの拡大表示 (IEDM 2023で発表)。結果は、Cu/SiCN表面トポグラフィの制御に成功し、正確な位置合わせ(オーバーレイが150nm未満)および良好な電気的性能(低い単一接触抵抗)を示したとする (出所:imec)
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