(a)AlGaN/GaN/3C-SiC層/ダイヤモンド接合試料。(b)ダイヤモンド上に作製されたGaNトランジスタの光学顕微鏡像。(c)3C-SiC/ダイヤモンド接合界面の断面透過電子顕微鏡像。(d)今回作製されたダイヤモンド基板上GaNトランジスタと、先行研究で作製されたダイヤモンド上GaNトランジスタの放熱性向上倍率の比較(出所:共同プレスリリースPDF)
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インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。