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ダイヤモンド基板上のGaNトランジスタで放熱性を大幅向上 - 大阪公大などが発表

(a)AlGaN/GaN/3C-SiC層/ダイヤモンド接合試料。(b)ダイヤモンド上に作製されたGaNトランジスタの光学顕微鏡像。(c)3C-SiC/ダイヤモンド接合界面の断面透過電子顕微鏡像。(d)今回作製されたダイヤモンド基板上GaNトランジスタと、先行研究で作製されたダイヤモンド上GaNトランジスタの放熱性向上倍率の比較(出所:共同プレスリリースPDF)

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