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レポート

京セラ、SPIE Photonics West 2023でGaN系マイクロ光源の独自プロセスを発表

図1 京セラが開発したA-ELO(Advanced Epitaxial lateral overgrowth)技術の工程。(a)サファイア上に成長させたGaNには多くの欠陥が存在する。(b)(c)マスキング層の開口部から縦方向に成長させ成長核とする。この部分には未だ多数の欠陥が存在している。(d)成長核から横方向に結晶成長させる。この部分では欠陥の少ない薄膜層が形成でき、この部分を利用することで特性が良い微小デバイスを製作することができる (図は講演者による提供)

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