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東大、非磁性/強磁性の半導体の二層ヘテロ接合で新規の電子伝導現象を発見

(左)今回の研究で用いられたInAs/GaFeSbからなるヘテロ接合。(右)このヘテロ接合における電気抵抗は、外部磁場の向きを反転させると27％ほど変化し、巨大な奇関数磁気抵抗効果が発生したとする (出所:東大プレスリリースPDF)

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