KEKなど、存在するはずのない中性水素が半導体中に見られる理由を解明

(a)第一原理計算(密度汎関数理論に基づく)によって見積もられた、酸化物絶縁体・半導体中における格子間の孤立水素(H⁺、H⁰、H^-)の形成エネルギーとバンド構造の模式図。(b)フェルミ準位を価電子帯トップから伝導帯の底へと変化させる(電池の電圧を上げる)と、H⁺の形成エネルギーとH^-の形成エネルギーの交点E^+/-でHの荷電状態が+から-に変わる、つまりHが電子を2個受け取るので、Hに付随した不純物準位がE^+/-にある、と見なせる (出所:KEKプレスリリースPDF)