フォノン励起を介したスピン反転過程とフォノン密度勾配。(a)(1)の遷移過程は、2つの量子ドット間のスピン反転を伴わないフォノン励起および緩和過程。一方で、右の量子ドット内で生じる(2)の遷移過程では、角運動量の保存則から、スピン反転を伴うフォノン励起および緩和過程が生じる。(b)(a)の(1)と(2)の遷移過程から求められた格子温度を、フォノン源の直流電圧(VPS)に関してプロットした図。2つの量子ドット間に温度差が形成されていることが示されている (出所:東大生研Webサイト)
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企業のR&D部門が開発した新技術の紹介や、宇宙、生命工学、物理学などのマニアックな科学系読み物を中心に構成。話題の科学者へのインタビューなども。