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東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功

カイラル反強磁性体Mn₃Snでのカゴメ面内の引っ張り歪みにより誘起された垂直2値状態。(a)今回の研究で用いられたMn₃Sn多層膜の概要図。基板に用いたMgOとMn₃Snの格子不整合により、Mn₃Sn層には引っ張り歪みが生じる。(b)Mn₃Snの持つ拡張磁気八極子偏極はカゴメ面内に6値の自由度を持っているが、歪みにより、垂直2値状態になる (出所:プレスリリースPDF)

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