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東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発

作製されたHZO薄膜強誘電体メモリのデータ書き換え特性(エンデュランス特性)。現実的な測定時間の制限があるために10¹⁰回(100億回)までしか示されていないが、動作周波数と動作電圧から見積もられたところ、少なくとも10¹⁴回(100兆回)程度まで安定に動作できると見込まれている (出所:共同プレスリリースPDF)

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