東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発

(左)4nmまで薄膜化したHZO(酸化ハフニウムと酸化ジルコニウムの混晶)強誘電体の断面透過電子顕微鏡像。(中央)1.2V動作のヒステリシス特性。(右)0.7V動作のヒステリシス特性。0.7Vまで書き換え電圧を低くしても強誘電体のヒステリシス特性が確認された。なおヒステリシス特性とは、電圧をゼロに戻しても分極が残留し、さらに電圧の履歴によって残留する分極の向き(正/負)が変わる強誘電体特有の特性のことである (出所:共同プレスリリースPDF)