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imecとAIXTRON、耐圧1800V超の1200Vアプリ向け200mm GaNエピ層の形成に成功

2種類の異なる温度(25℃および150℃)における1200V GaN-on-QSTで測定した垂直順方向リーク電流。1200Vに至るまでリーク電流は、25℃の場合、1μA/mm²以下、150℃の場合、10μA/mm²以下で耐圧は両方の温度とも1800V以上である。これらより、1200V動作のデバイスにGaN-on-QSTが使えることが期待されるという (出所:imec)

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