構造の2D⇔3D切り替えで電気抵抗率が3桁変化する材料を東工大が開発

(a)2D SnSeの結晶構造。(b)3D PbSeの結晶構造。(c)(Pb_1-xSn_x)Se固溶体において、2D SnSeと3D PbSeが直接接する相境界を形成できれば(左の画像)、温度変化により2D-3D構造を直接転移させ、バンドギャップ(Eg)とキャリア移動度(μ)を大きく変化させることが可能となる(右の画像) (出所:東工大Webサイト)