(左)測定されたGaN FET構造の積層構造の模式図。(右)試料表面の顕微鏡写真 (出所:東北大学プレスリリースPDF)
予想を上回る2nmプロセス需要、TSMCが台南にも新ファブ建設か? 台湾メディア報道
Micronの2024会計年度第3四半期業績は前年同期比82%増、2四半期連続の黒字を達成
TSMCが京大で業界説明会を開催、博士後期課程終了後のキャリア構築などをアドバイス
ヌヴォトン、距離演算回路を内蔵した3D ToFセンサの量産を開始
米国政府、CHIPS法に基づきEntegrisのコロラド工場建設に最大7500万ドルの支給を決定
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