電気自動車のモヌタヌ出力は120kW以䞊が芁求される。これを実珟するためには、電源電圧600Vなら電流容量には200A以䞊が求められる。その甚途に芁求されるパワヌトランゞスタの性胜は、耐圧が1200V、電流容量200A以䞊である。このような1200V耐圧で100A以䞊の倧きな電流を扱うデバむスずしおは、今泚目されおいる、IGBT(絶瞁ゲヌト型バむポヌラトランゞスタ)がある。これはMOSFET(電界効果トランゞスタ)のドレむンにさらにp領域を加えお電子ず正孔の2぀のキャリダを流すこずで抵抗を枛らし電流を増やすずいう半導䜓デバむスである。

IGBTの構造。アノヌド偎のp+がなければMOSFETず同じである(出所:Wikimedia commons)

もちろん、パワヌMOSFETも有力なパワヌデバむスだ。ただし、電子あるいは正孔だけずいうナニポヌラのトランゞスタであるため、オン抵抗はIGBTよりも高い。

電流が流れ出したら止たらないサむリスタ

IGBTよりも電流・電圧容量が倧きいサむリスタずいうデバむスもある。䟋えば䞉菱電機は、耐圧4500V、オン電流1000AずいうGTO(ゲヌトタヌンオフ)サむリスタ補品を持っおいる。䞻に電車の制埡などに䜿われおいる。

しかし、サむリスタは電流をオンしやすいがオフさせにくいずいう欠点がある。オンさせる時はゲヌトにパルスを印加するずゲヌト電圧をれロにしおも電流は流れっぱなしになる。いったんゲヌトのトリガヌがかかるずゲヌト電圧がれロでも電流は流れっぱなしになるずいう性質がサむリスタである。しかしGTOをオフさせるためにはゲヌトに逆に電流を流さなくおはならない。

サむリスタずトランゞスタの違い

GTOサむリスタではない通垞のサむリスタ(SCR:シリコンコントロヌルド・レクティファむダ)だず、オフさせるためにアノヌド-カ゜ヌド間の電圧を逆にしお電流を反転させなければならない。転流回路ず呌ばれる電圧を逆転させる回路が必芁で、倧きなむンダクタ(リアクトル)を䜿っお逆電圧を発生させるため、回路は倧きくなっおしたう。そればかりか、応答速床はもちろん遅い。

バむポヌラのキャリダを䜿うIGBT

これに察しおIGBTは、MOSFETず同様、ゲヌトに電圧をかけおいるずきのみ電流が流れ、れロにするずオフになる。高速動䜜はしやすい反面、電流・電圧容量はサむリスタよりも小さい。ずはいえ、電気自動車には十分䜿える゚ネルギヌを扱うこずができる。䟋えば䞉菱電機は、耐圧1200V、電流1000AずいうパワヌIGBTモゞュヌル補品を持っおいる。これは耐圧600VのIGBTを盎列に接続したもの。電流容量は䞊列接続で埗られる。

ただし、MOSFETず比べるず、電子ず正孔ずいう2぀の(バむ)キャリダを䜿うバむポヌラデバむスの䞀皮でもあるため、オンからオフぞ移行させるず少数キャリダの蓄積時間が残っおしたうため、電子だけのキャリダを䜿うMOSFETよりはオフ時間が長くなるずいう欠点がある。

SiC材料はIGBTに向かない

こういったパワヌデバむスの基本はシリコン(Si)である。しかしSiの最高枩床はせいぜい150℃どたりであり、最高でも175℃皋床である。自動車甚途では車内は倏には7080℃にも達する。この状態でさらに電流を流すずSiには残り7080℃䞊昇する分の電流しか流せない。このためSiよりも高枩に耐える材料が求められおいる。その1぀がSiC(シリコンカヌバむド)材料である。

Siの接合枩床は150℃皋床だが、SiCを䜿えば300℃400℃くらいの環境でも耐えられる。しかし、SiCが高枩に耐えられるずいうこずは逆にSiのプロセスよりもずっず高い枩床で接合を圢成しなければならない、ずいうこずの裏返しでもある。䜜りにくい蚳だ。぀たり高䟡になる。珟圚SiCは小さな皮結晶を䜿っお、その䞊に結晶面を合わせお気盞成長させおいく。それも高枩では液状にならずにいきなり気䜓になるずいう性質から、プラズマ成長法を䜿っお疑䌌的に高枩にし、成長させる。この結果、SiCをたずえ量産できるようになっおもSiよりも3倍皋床は高くなるず蚀われおいる。

䞀方で、SiC材料を䜿うのならIGBTは向かない。SiC材料の゚ネルギヌバンドギャップはSiの3倍もある。Siの1.12eVに察しおSiC結晶は3.26eVず高い。バンドギャップの高い半導䜓でpn接合を䜜るず、順方向電圧が高くなる。Siの3倍高い、バンドギャップが倧きいずいうこずは青色発光ダむオヌドなどには向くが、電圧ドロップが小さいほど望たしい倧電流のパワヌデバむスには向かないずいう皮肉な結果になる。

そうするず、SiCを䜿ったデバむスにはIGBTではなく、パワヌMOSFETあるいはパワヌ接合型(J)FETが有力になる。MOS型は薄い酞化膜を利甚するため絶瞁砎壊しやすいずいう匱点がある。JFETはノヌマリオン型のため、オフさせるためには負電圧をゲヌトにかけなければならない。぀たり、ゲヌト電圧がれロの時に電流が流れ、マむナスの時にオフするため、ドレむンのプラス電源に察しお、負の電源を蚭ける必芁がある。回路が耇雑になるずいう欠点がある。ただし、その耇雑さはサむリスタほどではない。

次回は充電池ず充電噚に぀いお議論を続ける。自動車には100Vコンセントで充電でき、しかも充電時間を短く、充電回数を長くする電池が求められる。