スピントンネルFET実現へ、阪大などがpn接合で室温スピン伝導を初観測

大阪大学、熊本大学、東京都市大学の三者は、半導体pn接合を有するデバイス構造において、これまで低温領域での報告はあったが、世界で初めて室温での「スピン伝導」を観測したと5月27日に共同発表した。

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  半導体pn接合デバイスにおけるスピン伝導観測温度の変遷。先行研究では低温環境での実証に限られていたが、今回の研究により室温(27度)環境での十分な動作が確認された
  (出所:都市大Webサイト)

同成果は、阪大大学院 基礎工学研究科の大木健司大学院生、同・上田信之介大学院生、同・浜屋宏平教授、阪大 先導的学際研究機構 スピン学際研究部門の宇佐見喬政講師、熊本大 半導体・デジタル研究教育機構の山本圭介教授、都市大 総合研究所の澤野憲太郎教授らの共同研究チームによるもの。詳細は、米国物理学会が刊行する応用物理学を扱う学術誌「Physical Review Applied」に掲載された。

生成AIの急速な普及により、大規模データセンターの消費電力は大幅な増大が続いている。これを受け、半導体を用いた演算素子やメモリ素子には、さらなる低消費電力化が強く求められている。こうした要求に応えるものとして研究開発が進められているのが、低消費電力演算機能と不揮発メモリ機能を併せ持つ次世代のスピントロニクスデバイスだ。