SiCを小型パワー半導体モジュールに搭載

三菱電機は4月15日、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIPシリーズ」として、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」ならびにハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」のサンプル提供を4月22日より開始することを発表した(いずれも定格電圧600V、定格電流15A)。

SLIMDIPは、小型で端子配列を最適化した独自パッケージで、スイッチング素子とその駆動・保護を行う制御ICを内蔵したトランスファーモールド構造のインテリジェントパワー半導体モジュール「DIPIPM」の第6世代品と比べても、IGBTとダイオードを1チップ化したことで、約30%小型化することを可能としている。

電力損失を従来比で最大約79%低減

2016年に同社はSiC-MOSFETを搭載した「フルSiC超小型DIPIPM」を発売し、家庭用エアコンなどの省エネ化を図ってきたが、今回、SLIMDIPパッケージへの搭載を可能とした独自のSiC-MOSFETチップの開発に成功したことを踏まえ、SiC製品を初めてSLIMDIPパッケージへと搭載することに成功。これにより、SiベースのRC-IGBT SLIMDIP製品と比べて、高出力を実現することが可能となり、1つのパワー半導体モジュールで、より電気容量の大きな家電まで対応することが可能になるという。

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