三菱電機は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として、「耐電圧3.3kV/定格電流1500Aタイプ」を5月1日に発売。ドイツ・ニュルンベルクで開催されるパワー エレクトロニクスの国際展示会「PCIM Expo & Conference 2025」(会期:5月6日~8日)に出展する。

  • HVIGBTモジュールXBシリーズ(耐電圧3.3kV/定格電流1500Aタイプ)。HVIGBTは、High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor(高耐電圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の略称

独自のダイオードとIGBT素子の採用に加え、独自のチップ終端構造を採用して耐湿性能を向上させたのが特徴。鉄道車両などの大型産業機器向けインバーターの高効率化と信頼性向上に寄与するとしている。

新製品では、カソード側の電子移動度を最適化した三菱電機独自のRFC(Relaxed Field of Cathode)ダイオードと、キャリア蓄積効果を利用した独自のCSTBT構造を採用したIGBT素子を搭載。

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